Influences of Structure Defects on the Performances of Solution-Processed OFET
發布人: 星禧   發布時間: 2018-08-06    瀏覽次數:

主講人簡介：

王建隆，副教授（2015-現），副教授（2011-2015年）👲🏻，國立臺灣大學應用化學系副教授;阿克倫大學高分子工程系博士後研究助理（2011年）;阿克倫大學高分子科學系博士（2011）;國立臺灣大學化學系（2001）;國立臺灣師範大學化學系學士（1999）✭🦹🏿。

報告內容簡介：

電荷傳輸通道的質量對有機場效應晶體管（OFET）的性能有很大的影響。為了達到更高的電荷遷移率♥️，solution-processed單晶體（SPSC）技術被用來建立共軛分子的晶體陣列，作為有效的電荷傳輸通道。然而，晶體陣列中細微的結構缺陷截斷了電荷傳輸途徑🚣🏽‍♂️，影響了OFET機動性👨‍🦲。在此演示中，將演示識別共軛分子晶體陣列的低角晶界（LAGB）、多態性和結晶度的表征過程👦🏽。在此基礎上，討論了網格排列、包裝結構和結晶度對OFET流動性的影響。結果表明：（1）統一晶格方向和包裝結構🛍，（2）晶體域的連續性在解決方案的性能和再現性中起著重要的作用。
 
 
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